Las propiedades del grafeno son ideales para utilizarlo como
componente de circuitos integrados. Está dotado de alta
movilidad de portadores, así como de bajo nivel de «ruido».
Ello permite que se le utilice como canal en transistores de
efecto campo (FET). La dificultad de utilizar grafeno estriba
en la producción del mismo material en el sustrato
adecuado. Investigadores están indagando métodos tales
como transferencia de hojas de grafeno desde grafito
(exfoliación) o crecimiento epitaxial (como la grafitización
térmica de la superficie del carburo de silicio: SiC).
En diciembre de 2008, IBM anunció que habían fabricado y
caracterizado transistores que operaban a frecuencias de 26
gigahercios (GHz).16 En febrero de 2010, la misma empresa
anunció que la velocidad de estos nuevos transistores
alcanzaron los 300 GHz.18
Las publicaciones especializadas rebosan de artículos en
los que se atribuye a esta estructura de carbono cualidad de
«panacea universal» en la tecnología para reemplazo de
dispositivos de silicio por grafeno.
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